有投资者在投资者互动平台提问:请问公司的IGBT芯片或MOSFET，是多少nm/um 制程的给贵公司代工的国产晶圆厂中，如果将来将来国外光刻机购买被禁，它们买的国产光刻机能满足你们的产品生产要求嘛

宏微科技3月16日在投资者互动平台表示，IGBT等功率器件芯片对制程的要求，没有逻辑芯片等集成电路芯片那么高，主流制程普遍在350nm以上，最新的制程需求是150nm，所以对应的光刻机设备不会受到像14nm，7nm制程那样的约束伴随着国内制程技术的逐步成熟，IGBT芯片制造设备的国产替代也正在加速

未来国内的功率半导体无论是二极管/晶闸管，还是MOSFET，乃至难度更高的IGBT，市场份额均有望显著提升，实现功率半导体的国产替代。